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    鎧俠閃迪聯手突破!3D閃存速度達4.8Gb/s,332層堆疊技術引領革新

       發布時間:2025-02-20 11:15 作者:朱天宇

    近期,存儲技術領域的兩大巨頭鎧俠(Kioxia)與閃迪(SanDisk)攜手,在國際固態電路會議(IEEE ISSCC)上驚艷亮相,專為人工智能(AI)應用場景推出了一款革命性的3D閃存解決方案。這款解決方案將NAND接口速度推高至前所未有的4.8 Gbps,標志著存儲性能的一次重大飛躍。

    該方案的核心在于采用了最新的Toggle DDR6.0接口標準和SCA協議,使得數據傳輸速率飆升至4.8Gb/s,相較于上一代產品,性能提升了33%。這一突破性的速度提升,無疑為AI應用提供了更為強勁的數據處理能力。

    除了速度上的顯著提升,該3D閃存解決方案在功耗和密度方面同樣表現出色。通過引入PI-LTT技術,方案在數據輸入/輸出過程中實現了顯著的功耗降低,其中輸入功耗減少了10%,輸出功耗更是降低了34%。在密度方面,得益于332層的堆疊技術和優化的平面布局,位密度相較于前代產品提升了59%,為用戶提供了更大的存儲容量。

    鎧俠與閃迪還透露了關于未來兩代3D閃存產品的規劃。據悉,第九代產品將采用CBA技術,該技術融合了現有的存儲單元技術和全新的CMOS技術,旨在實現更高的性價比。而第十代產品則將進一步在容量、速度和功耗方面取得突破,以滿足未來數據中心和AI應用對存儲性能的嚴苛需求。

    CBA技術作為鎧俠與閃迪的一大創新,通過結合CMOS創新與成熟的存儲單元設計,為用戶提供了兼具高性能、低功耗和經濟性的存儲解決方案。這一技術的引入,無疑將進一步鞏固鎧俠與閃迪在存儲技術領域的領先地位。

     
     
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