在內(nèi)存技術(shù)的最新進展中，美光公司（Micron）已經(jīng)成功地為英特爾（Intel）和AMD等客戶提供了1γ（gamma）DDR5的樣品，這一成就標志著美光在行業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)了技術(shù)突破。
據(jù)韓媒chosun于近日報道，美光在交付的樣品中，采取了一種獨特的技術(shù)策略，即僅在樣品的一層中使用了極紫外光刻（EUV）設(shè)備。美光計劃通過減少EUV的使用，來加快尖端DRAM的量產(chǎn)速度。
美光公司選擇減少對EUV技術(shù)的依賴，轉(zhuǎn)而更多地采用成熟的氬氟浸沒式光刻（ArFi）工藝。據(jù)ASML的數(shù)據(jù)顯示，下一代深紫外光刻（DUV）系統(tǒng)使用193納米波長的氬氟激光，能夠?qū)崿F(xiàn)38納米特征尺寸的打印。而EUV光刻雖然使用13.5納米波長的光，具有更高的精度，但其成本也相應(yīng)更高。
美光方面表示，由于EUV技術(shù)尚未完全穩(wěn)定，因此公司僅在必要時才使用。這一策略在短期內(nèi)可能會提高量產(chǎn)速度，但從長期來看，可能會對芯片的良率和性能產(chǎn)生一定影響。
與美光不同，三星和SK海力士在DRAM技術(shù)的發(fā)展中更加依賴EUV層。自2020年起，三星在內(nèi)存生產(chǎn)中就開始采用EUV技術(shù)，并計劃在其第6代10納米DRAM（1c）中應(yīng)用超過5個EUV層。SK海力士也在2021年引入了EUV設(shè)備，并計劃在下一代1c DRAM中采用類似的策略。
盡管美光通過減少對EUV的依賴可能在短期內(nèi)節(jié)省成本，但從長期來看，公司可能會面臨技術(shù)瓶頸。行業(yè)專家指出，ArFi工藝需要更多的步驟，這可能會導(dǎo)致良率下降。隨著EUV層數(shù)的增加，特別是超過三層后，技術(shù)難度將顯著提升。
美光的技術(shù)策略在行業(yè)內(nèi)引發(fā)了廣泛的關(guān)注和討論。一方面，美光通過減少EUV的使用，試圖在保持技術(shù)領(lǐng)先的同時，降低生產(chǎn)成本并提高量產(chǎn)速度。另一方面，這種策略也引發(fā)了對于芯片良率和性能的擔(dān)憂。
