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    資訊在沃

    三星電子DRAM內(nèi)存領(lǐng)域率先采用干式光刻膠技術(shù),或提升HBM4性能

       發(fā)布時(shí)間:2025-06-11 16:06 作者:蘇婉清

    近日,韓國媒體ETNews報(bào)道了一項(xiàng)來自三星電子的重大技術(shù)突破。據(jù)悉,三星在DRAM內(nèi)存制造領(lǐng)域成功引入了干式光刻膠(Dry PR)技術(shù),并將此技術(shù)應(yīng)用于其即將推出的第六代10納米級(jí)工藝(1c nm)中。

    報(bào)道指出,三星電子已經(jīng)完成了干式光刻膠涂覆和顯影等關(guān)鍵工序所需的設(shè)備配置,這些設(shè)備均由泛林集團(tuán)(Lam Research)提供。這一技術(shù)革新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造工藝上邁出了重要一步。

    干式光刻膠技術(shù)與傳統(tǒng)的濕式光刻膠存在顯著差異。傳統(tǒng)濕式光刻膠使用溶液旋涂方式,并在后續(xù)過程中需要溶劑沖洗,而干式光刻膠則是直接沉積到晶圓表面。這一改變有效避免了光刻膠去除過程中因液體表面張力導(dǎo)致的圖案完整性問題,從而提升了制造精度。

    干式光刻膠還具備更高的曝光效率,能夠?qū)崿F(xiàn)更為精細(xì)的線寬,這對(duì)于半導(dǎo)體器件的性能提升具有重要意義。三星電子計(jì)劃將這一技術(shù)應(yīng)用于其HBM4產(chǎn)品中,通過提升圖案質(zhì)量來增強(qiáng)HBM4堆棧的信號(hào)完整性和可靠性。

    值得注意的是,泛林集團(tuán)在今年早些時(shí)候已經(jīng)宣布,其干式光刻膠技術(shù)已被一家領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造商在最先進(jìn)的DRAM工藝中采用。如今,三星電子的加入進(jìn)一步證明了干式光刻膠技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的廣闊前景。

     
     
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