在近期于舊金山盛大召開的IEEE國際電子器件會議（IEDM）上，全球領先的晶圓代工企業臺積電，揭開了其備受行業矚目的2納米（N2）制程技術的神秘面紗，向與會者詳細展示了該技術在性能提升、功耗降低以及晶體管密度優化方面的非凡成就。
臺積電在此次會議中，特別強調了其創新的2納米“納米片”技術。據透露，與上一代制程技術相比，N2制程在性能上實現了高達15%的顯著提升，同時在功耗方面降低了多達30%，能效表現尤為突出。借助環繞式柵極（GAA）納米片晶體管和N2 NanoFlex技術的雙重加持，晶體管的密度也實現了1.15倍的增長。N2 NanoFlex技術的運用，使得制造商能夠在有限的面積內，更加高效地集成各類邏輯單元，從而進一步提升了制程的整體性能。
從傳統的FinFET技術到N2“納米片”技術的轉變，標志著臺積電在電流控制方面取得了重大突破。這一創新技術采用了堆疊的窄硅帶結構，每條硅帶都被柵極緊密包圍，相較于FinFET技術，實現了更為精準的電流控制。這一轉變使得制造商能夠根據具體的應用場景，靈活調整參數，以滿足多樣化的需求。
與3納米及其衍生制程相比，臺積電的N2制程在性能方面展現出了明顯的優勢。鑒于其顯著的代際改進，業界巨頭如蘋果和英偉達等，預計將會大規模采用這一先進制程。然而，伴隨著性能的大幅提升，N2制程晶圓的價格也水漲船高，據悉將比3納米制程高出10%以上。據初步估算，一片N2晶圓的價格可能在2.5萬至3萬美元之間，具體價格還需等待臺積電的最終定價。
值得注意的是，由于初期良率和試生產等因素的限制，N2制程的初期產量將相對有限。這意味著，盡管其性能卓越，但在普及速度上可能會稍顯緩慢。不過，隨著技術的不斷成熟和產量的逐步提升，N2制程有望在未來成為行業的主流技術之一。
