美國麻省理工學院（MIT）的研究團隊近日取得了重大突破，他們成功研發出一款刷新紀錄的納米級3D晶體管。這款晶體管在性能上可媲美甚至超越現有的硅基晶體管。
晶體管作為電子設備的核心部件，其性能提升一直是科研領域的難題。傳統的硅基晶體管在低電壓下運行受限，而MIT團隊通過采用銻化鎵和砷化銦組成的超薄半導體材料，成功打破了這一限制。
該團隊巧妙地將量子隧穿原理應用于晶體管設計，使得電子能夠更輕松地穿越能量勢壘，顯著提高了晶體管的開關靈敏度。他們還構建了直徑僅為6納米的垂直納米線異質結構，進一步優化了其尺寸。
經過一系列嚴格測試，這款新型3D晶體管在狀態切換方面展現出了出色的性能，其速度和效率比同類隧穿晶體管高出20倍。這一成果充分利用了量子力學的優勢，實現了在低電壓下的高性能操作。
由于這款晶體管體積微小，未來有望在計算機芯片上實現更高密度的集成，從而為開發更強大、更節能的電子產品奠定堅實基礎。目前，研究團隊正在不斷改進制造工藝，并積極探索其他3D晶體管設計方案，以期推動相關技術的進一步發展。
