近期，兩家科技巨頭Ferroelectric Memory Co.（FMC）與Neumonda攜手合作，共同推動一項名為“DRAM+”的創新內存架構走向市場。這一合作將為用戶帶來前所未有的數據存儲體驗。
DRAM+技術的獨特之處在于，它將DRAM的高速訪問性能與非易失性數據保留能力相結合，有效填補了高速DRAM與NAND閃存之間的性能鴻溝。這一突破性的技術革新，有望徹底改變數據存儲領域的格局。
技術的核心亮點在于，DRAM+采用了鐵電氧化鉿（HfO2）元件，替代了傳統DRAM中的電容器。這種新型元件不僅能夠在斷電情況下持久存儲數據，還保持了納秒級的訪問速度，實現了速度與持久性的完美結合。
相較于過去廣泛使用的鋯鈦酸鉛（PZT），HfO2元件展現出了更高的可擴展性和兼容性。它能夠與現有的半導體制造工藝無縫對接，支持10納米以下的先進制造工藝，并實現千兆位級別的存儲密度，為大規模數據存儲提供了強有力的支持。
FMC的DRAM+技術主要面向需要持久性、低功耗和高性能的特定應用場景，如AI加速器、汽車電子控制單元（ECU）以及醫療植入物等。這些領域對數據存儲的要求極高，DRAM+技術的出現無疑為它們提供了更加可靠和高效的解決方案。
DRAM+技術通過消除傳統的刷新周期，顯著降低了靜態功耗，相較于傳統的單晶體管/單電容器DRAM單元，具有更加明顯的優勢。這一特性使得DRAM+技術在低功耗應用場景中更具競爭力。
為了確保DRAM+技術的順利推進，Neumonda將為FMC提供其先進的測試平臺套件Rhinoe和Octopus Raptor，用于電氣特性和分析。這一合作將加速DRAM+技術的測試和驗證進程，為產品的商業化打下堅實基礎。
盡管雙方尚未公布商用DRAM+產品的具體生產時間表，但這一合作無疑已經引起了業界的廣泛關注。隨著DRAM+技術的不斷成熟和推廣，相信它將為用戶帶來更加高效、可靠和便捷的數據存儲體驗。
