近期，據韓國科技媒體SE Daily報道，三星電子在DRAM內存技術領域的戰(zhàn)略規(guī)劃有了新的動向。據業(yè)內人士透露，三星電子內部已經制定了一項路線圖，計劃在第七代10nm級DRAM內存工藝（即1d nm）之后，引入VCT（垂直通道晶體管）技術。
據了解，三星電子在決定下一代DRAM工藝方向時，曾在1e nm和VCT DRAM兩種方案之間猶豫不決。最終，三星電子選擇了VCT DRAM這一被認為具有“顛覆性”潛力的技術路徑，并將原本致力于1e nm技術研究的團隊整合到了1d nm團隊中，以加速1d nm技術的研發(fā)進程。
盡管VCT DRAM技術通過充分利用三維空間，有望大幅提升存儲密度，但其開發(fā)難度也不容小覷。該技術不僅需要突破傳統(tǒng)內存技術的限制，還需要采用目前尚未在DRAM中應用的先進封裝工藝，這無疑為三星電子的研發(fā)團隊帶來了巨大的挑戰(zhàn)。
與此同時，三星電子在DRAM業(yè)務領域的最大競爭對手SK海力士也在積極規(guī)劃其未來技術路徑。據透露，SK海力士的大致規(guī)劃是從1d nm技術過渡到0a nm技術，并最終實現其所謂的VG DRAM（即3D DRAM）的商業(yè)化。SK海力士的這一規(guī)劃顯示出其在DRAM技術領域的持續(xù)創(chuàng)新和進取。
