近期，存儲行業年度盛會CFMS | MemoryS 2025在深圳如期舉行，吸引了眾多行業內外目光。借此契機，我們有幸采訪到鎧俠電子的多位高層管理人員，就閃存行業的發展趨勢以及鎧俠自身的戰略規劃進行了深入探討。
此次接受采訪的鎧俠高管團隊陣容強大，包括鎧俠株式會社首席技術官柳茂知、鎧俠電子（中國）董事長兼總裁岡本成之、副總裁天野竜二、閃存顆粒技術統括部總經理大久保貴史以及閃存顆粒市場統括部高級總監錢阿蒙。
針對當前NAND閃存廠商在堆疊層數上的激烈競爭，鎧俠方面表示，盡管市場上已有不少300+層堆疊的閃存產品被宣布，但目前尚未實現量產。鎧俠現階段的主力產品仍為第五代BiCS5，堆疊層數為112層，并已應用于最新的PM7 SAS-4 SSD和CM7 PCIe 5.0 SSD中，單盤最大容量可達32TB TLC。
同時，鎧俠透露，其218層堆疊的第八代BiCS 8自2024年7月起已開始量產，并將于今年加大批量供貨。目前，BiCS 8的生產主要在日本三重縣四日市的工廠進行，而自今年秋季起，日本北上工廠也將開始生產BiCS 8。鎧俠預計，在未來一年左右，BiCS 5和BiCS 8將共同成為其供貨的主力軍。
鎧俠強調，第八代BiCS8閃存不僅通過增加堆疊層數擴大了容量，還通過平面方向的定標和雙晶圓鍵合技術，實現了更高的存儲密度，從而具備了強大的成本競爭力。速度的提升也是閃存發展的關鍵所在。
鎧俠剛剛發布的LC9 122.88TB SSD，作為業界第二款達到如此高容量的產品，首次采用了第八代BiCS NAND架構的2Tb QLC閃存。該產品支持PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0和NVMe-MI接口，順序讀寫速度分別為12GB/s和3GB/s，適合讀取密集型應用。
鎧俠還宣布了第九代BiCS9和第十代BiCS10，開啟了雙路線并行的全新策略。BiCS9在提高復用率、降低成本的同時，搭配最新的CMOS制程，使I/O速度提高到4800MT/s。而BiCS10則同時升級了存儲陣列和CMOS制程，堆疊層數最多可達332層，存儲密度提升超過59%，同樣支持4800MT/s，帶來更高的性能和能效。
展望未來，鎧俠和三星都規劃了1000層左右的閃存架構，預計將在2030年左右實現。鎧俠表示，從技術角度來看，實現1000層以上的閃存堆疊是可行的，但關鍵在于取得性能和成本之間的平衡。因此，鎧俠將不斷推進包括水平方向在內的存儲密度提升，以更好地滿足市場需求。
在SSD傳輸協議方面，鎧俠預計PCIe 6.0 SSD將在2025年開始出現，2026年開始部署，2028年左右開始普及；而PCIe 7.0 SSD則要到2028年才會出現，2029年開始部署。鎧俠的BiCS9閃存主要面向PCIe 6.0 SSD，而BiCS10則可用于未來的PCIe 6.0乃至PCIe 7.0 SSD。
對于整個NAND閃存市場，鎧俠認為，在經歷去年第四季度的明顯回暖后，由于閃存廠商和行業客戶的產能及庫存調整，供求平衡將繼續改善，市場將持續復蘇。盡管AI PC和AI手機的存儲需求不斷增加，但短期內PC和手機市場狀況仍不樂觀。然而，數據中心和企業市場對存儲的需求將持續增長，特別是在AI訓練和推理應用的推動下，高性能、大容量企業級SSD產品的需求有望在2025年下半年進一步恢復。
