SK海力士近期在內存技術領域取得了顯著進展，正全力推進新一代低功耗內存LPDDR5M的研發。據悉，該內存的數據傳輸速率與現有的LPDDR5T持平，均高達9.6Gbps，但在能效方面實現了大幅提升。
具體而言，LPDDR5M的工作電壓從原先的1.01-1.12V降低至0.98V，這一改進使得能效提高了8%。業內人士指出，這一技術突破有望廣泛應用于配備設備端AI功能的智能手機中，幫助這些設備在執行密集型操作時減少電量消耗，從而更好地滿足設備制造商對高性能與低功耗的雙重需求。預計SK海力士將在今年內推出LPDDR5M產品。
與此同時，SK海力士在高帶寬內存（HBM）領域同樣取得了重要成果。目前，公司已進入12層堆疊HBM4的試產階段，且良品率從去年底的60%提升至70%。這一進展主要得益于SK海力士采用的1βnm（第五代10nm級別）工藝制造DRAM芯片，該工藝在性能和穩定性方面均表現出色。
這一先進工藝還將應用于HBM3E產品的生產中。根據計劃，SK海力士將于2025年6月向英偉達提供HBM4樣品，以支持其Rubin架構產品的需求。公司預計在今年下半年推出首批12層堆疊的HBM4產品，并將在2025年第三季度全面進入供應階段。這一系列的舉措無疑將進一步鞏固SK海力士在高端內存市場的領先地位。
