日本瑞薩電子近日在內(nèi)存技術領域邁出了重要一步，正式推出了針對第二代DDR5 MRDIMM（傳輸速度達到12800MT/s）的完整芯片組解決方案。該方案涵蓋了全新的MRCD、MDB、PMIC芯片，以及配套的溫度傳感器與SPD集線器，為數(shù)據(jù)中心應用提供了強有力的支持。
隨著AI、高性能計算（HPC）等領域的快速發(fā)展，對內(nèi)存帶寬的需求日益增加。瑞薩電子此次推出的新一代DDR5 MRDIMM，正是為了滿足這一不斷提升的需求。與初代產(chǎn)品（傳輸速度為8800MT/s）相比，新一代DDR5 MRDIMM的內(nèi)存帶寬提升了35%，為數(shù)據(jù)中心的高效運行提供了有力保障。
在此次發(fā)布的解決方案中，瑞薩電子推出了三款關鍵組件：多路復用寄存時鐘驅(qū)動器（MRCD）芯片RRG50120、多路復用數(shù)據(jù)緩沖器（MDB）芯片RRG51020以及PMIC芯片RRG53220。這三款芯片均已完成樣品制作，并計劃于2025年上半年投入生產(chǎn)。這一舉措標志著瑞薩電子在DDR5內(nèi)存技術領域取得了顯著進展。
瑞薩電子的第二代MRCD芯片RRG50120在功耗方面表現(xiàn)出色，與初代產(chǎn)品相比降低了45%。同時，為DDR5 MRDIMM量身定制的第二代PMIC芯片RRG53220不僅提供了出色的電氣過壓保護，還具備卓越的能效表現(xiàn)。該芯片針對高電流及低電壓操作進行了優(yōu)化，進一步提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
瑞薩電子的高管Davin Lee對此表示：“AI和HPC應用對高性能系統(tǒng)的需求持續(xù)增長，我們緊跟這一趨勢，與行業(yè)領導者緊密合作，共同開發(fā)下一代技術及規(guī)范。這些公司信賴瑞薩電子的專業(yè)技術知識和生產(chǎn)能力，以滿足他們?nèi)找嬖鲩L的需求。我們此次推出的面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片組解決方案，充分展示了瑞薩電子在這一市場領域的領先地位。”
