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    Intel聯手軟銀打造HBM替代方案:堆疊DRAM容量倍增,耗電降40%

       發布時間:2025-06-02 23:32 作者:沈瑾瑜

    近日,科技界傳來一則重大合作消息,Intel與軟銀攜手,致力于開發一種創新的堆疊式DRAM解決方案,旨在挑戰并可能取代當前AI處理器中廣泛使用的HBM內存。

    為此,雙方共同創立了一家新公司——Saimemory,它將融合Intel的先進技術以及東京大學等日本學術機構的專利成果,共同推進這一革命性產品的研發。

    Saimemory的目標是,在2027年之前完成原型設計,并對量產的可行性進行全面評估,以期在2030年之前將該解決方案推向商業化市場。

    HBM內存以其高效處理大量暫存數據的能力,在AI處理器中占據主導地位。然而,其復雜的制造工藝、高昂的成本、易過熱以及高耗電量等問題,限制了其更廣泛的應用。針對這些挑戰,Intel與軟銀計劃通過堆疊DRAM芯片并優化連接技術,推出一種存儲容量至少翻倍、耗電量降低40%、成本大幅降低的新型內存解決方案。

    在新公司的股權結構中,軟銀將成為最大股東,投資約30億日元。公司計劃初期投入約150億日元的研發經費。軟銀對這項技術寄予厚望,若研發成功,希望優先獲得新產品的供應權。

    面對AI芯片市場對HBM內存的強勁需求與持續緊張的供應狀況,Saimemory期望通過其替代產品,在日本數據中心市場占據一席之地。這不僅標志著日本在內存芯片領域的一次重要突破,也是其20多年來首次嘗試重返內存芯片主要供應國之列的雄心壯志。

     
     
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