在半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中，2nm制程技術(shù)的競爭已經(jīng)悄然拉開帷幕，而3nm的熱度尚未完全消散。在這場技術(shù)較量中，聯(lián)發(fā)科展現(xiàn)出了更快的步伐，相較于蘋果與高通兩大巨頭。
聯(lián)發(fā)科的首席執(zhí)行官蔡力行，在COMPUTEX大會上發(fā)表了重要講話。他透露，過去的十年間，聯(lián)發(fā)科芯片已應(yīng)用于全球超過200億臺設(shè)備，相當(dāng)于地球上每個人平均擁有2.5臺搭載聯(lián)發(fā)科芯片的設(shè)備。這一數(shù)據(jù)無疑彰顯了聯(lián)發(fā)科在全球市場的強大影響力。
更令人矚目的是，蔡力行宣布聯(lián)發(fā)科將在今年9月進(jìn)入2nm產(chǎn)品的流片階段。與3nm制程相比，2nm制程將帶來15%的性能提升和25%的功耗下降，這無疑將進(jìn)一步提升聯(lián)發(fā)科在高端市場的競爭力。
根據(jù)最新的消息，聯(lián)發(fā)科今年的旗艦產(chǎn)品天璣9500將繼續(xù)采用臺積電的3nm制程技術(shù)。然而，到了明年下半年，聯(lián)發(fā)科將推出全新的天璣9600，這款芯片將采用臺積電的2nm工藝，成為聯(lián)發(fā)科首款2nm芯片。這一消息無疑讓業(yè)界和消費者都充滿了期待。
臺積電2nm制程技術(shù)的核心在于全新的GAAFET架構(gòu)。相較于傳統(tǒng)的FinFET架構(gòu)，GAAFET架構(gòu)中的晶體管采用了被柵極材料完全包裹的納米片結(jié)構(gòu)，這一創(chuàng)新不僅大幅提升了晶體管密度，還有效降低了漏電現(xiàn)象，進(jìn)一步降低了功耗。這一技術(shù)的突破將為未來的芯片設(shè)計帶來全新的可能性。
然而，隨著2nm時代的到來，其成本也將隨之上升。據(jù)悉，臺積電2nm晶圓的成本將比之前高出10%。這一成本上升將不可避免地對終端產(chǎn)品產(chǎn)生影響，預(yù)計將導(dǎo)致旗艦產(chǎn)品的價格新一輪上漲。
