歐洲先進(jìn)FD-SOI中試線項(xiàng)目FAMES近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，旨在征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗盡型絕緣體上硅工藝的芯片設(shè)計(jì)。這一消息由法國媒體ECInews率先報(bào)道，引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
據(jù)FAMES項(xiàng)目的協(xié)調(diào)員Dominique Noguet介紹，基于10nm FD-SOI工藝的測試芯片有望在2027年面世。這一制程節(jié)點(diǎn)將借助193nm ArFi DUV光刻機(jī)，并采用SADP自對準(zhǔn)雙重曝光技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。這一技術(shù)的運(yùn)用，將有望推動FD-SOI工藝在更先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)上取得突破。
FAMES中試線不僅將提供用于先進(jìn)FD-SOI節(jié)點(diǎn)的性能評估PDK（工藝設(shè)計(jì)套件），還將提供用于測試設(shè)計(jì)的MPW多項(xiàng)目晶圓用PDK。這將為芯片設(shè)計(jì)者提供更為便捷和高效的測試環(huán)境，有助于加速新技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用。
除了邏輯制程外，F(xiàn)AMES中試線還十分關(guān)注配套的片上嵌入式NVM非易失性存儲技術(shù)的發(fā)展。據(jù)悉，F(xiàn)AMES牽頭方法國CEA-Leti研究所已經(jīng)在OxRAM（氧化物基阻變存儲器）方面取得了顯著進(jìn)展，并正在積極關(guān)注FRAM/FeFET（鐵電存儲器）和MRAM（磁性存儲器）等新型存儲技術(shù)的發(fā)展。
此次FAMES項(xiàng)目的公開征集計(jì)劃，標(biāo)志著歐洲在FD-SOI工藝領(lǐng)域的研發(fā)和應(yīng)用邁出了重要一步。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，F(xiàn)D-SOI工藝有望在更多領(lǐng)域展現(xiàn)出其獨(dú)特的優(yōu)勢和潛力。
FAMES中試線的建設(shè)也將為歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。通過提供先進(jìn)的工藝設(shè)計(jì)套件和測試環(huán)境，F(xiàn)AMES中試線將有助于吸引更多的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)參與到FD-SOI工藝的研發(fā)和應(yīng)用中來，共同推動歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮和發(fā)展。
