臺積電在半導體工藝領域的探索步伐從未停歇，不僅在全力推進采用GAAFET全環繞晶體管的N2、A16、A14等先進工藝，同時也致力于挖掘傳統FinFET立體晶體管的潛力。其N3系列工藝節點，作為該技術的最后一代，仍在持續演進之中。
在近期于美國舉辦的北美技術論壇2025上，臺積電宣布了一項重要進展：3納米級工藝的第三代——N3P，已于2024年第四季度成功投入量產。而更先進的第四代N3X，也計劃在同年下半年進入生產階段。
N3P作為N3E的升級版，專為追求高性能的客戶端及數據中心應用而設計，同時保持了與前代工藝的IP與設計兼容性。據臺積電官方數據，N3P在同等功耗下性能可提升約5%，而在同等性能下功耗可降低5-10%。晶體管密度也提升了4%，尤其是SRAM的縮放效果尤為顯著。
回顧過去，蘋果M3、高通驍龍8至尊版、聯發科天璣9400/9400+等芯片均采用了N3E工藝。隨著N3P的量產，業界普遍關注這些產品是否會迎來升級換代，或是直接跨越至更先進的N2工藝。
相較于N3P，N3X作為再次升級版，性能提升更為顯著。在同等功耗下，性能可再提升5%；而在同等性能下，功耗可降低7%。尤為重要的是，N3X支持最高達1.2V的電壓，能夠將頻率與性能發揮至極致。然而，這一提升也帶來了漏電率驟然增大最多250%的代價，因此芯片設計需極為謹慎。
臺積電還透露，N3系列工藝在明年還將迎來N3A、N3C兩個新版本。盡管未做具體介紹，但從定位來看，N3C將主打超低成本，面向低端市場。
臺積電N3系列中還有一個特殊版本——N3B。然而，由于性能和成本均表現不佳，大客戶中僅有Intel采用，用于其Lunar Lake、Arrow Lake系列處理器。這一選擇，也讓Intel在某種程度上成為了“大冤種”。
