SK海力士近期宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，正式量產(chǎn)全球首款具備321層堆疊技術(shù)的1TB TLC 4D NAND閃存。
據(jù)悉，自2023年6月成功量產(chǎn)238層NAND閃存以來(lái)，SK海力士持續(xù)引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)的前沿發(fā)展。此次推出的321層NAND閃存，不僅標(biāo)志著技術(shù)層面的飛躍，更是全球首次實(shí)現(xiàn)超過(guò)300層堆疊的NAND閃存大規(guī)模生產(chǎn)。
在生產(chǎn)策略上，SK海力士巧妙地沿用了238層產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)平臺(tái)，此舉有效減少了工藝轉(zhuǎn)換帶來(lái)的潛在影響，并顯著提升了生產(chǎn)效率達(dá)59%。這一決策不僅確保了技術(shù)穩(wěn)定性，還加速了新產(chǎn)品的市場(chǎng)投放進(jìn)程。
與上一代產(chǎn)品相比，321層NAND閃存展現(xiàn)了更為出色的性能。數(shù)據(jù)傳輸速度提升了12%，讀取性能增強(qiáng)了13%，同時(shí)數(shù)據(jù)讀取能效也實(shí)現(xiàn)了超過(guò)10%的增長(zhǎng)。這些提升對(duì)于滿足當(dāng)前及未來(lái)市場(chǎng)對(duì)高效能存儲(chǔ)解決方案的需求至關(guān)重要。
SK海力士NAND開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)的負(fù)責(zé)人Jungdal Choi對(duì)此表示：“此次技術(shù)的革新，進(jìn)一步鞏固了我們?cè)贏I存儲(chǔ)市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，特別是在AI數(shù)據(jù)中心和終端設(shè)備AI應(yīng)用所需的SSD領(lǐng)域。”
