在科技領域的一次重大突破中，全球存儲領域的領頭羊三星，竟然選擇了與中國長江存儲合作，引進了后者的專利技術來研發(fā)其下一代產(chǎn)品。這一舉動迅速產(chǎn)生了顯著成果——三星宣布成功研發(fā)出基于長江存儲技術的第十代V-NAND閃存，堆疊層數(shù)高達400多層。
長久以來，三星與其他傳統(tǒng)閃存制造商一樣，采用在同一塊晶圓上制造CMOS控制電路和存儲陣列的方式。然而，隨著堆疊層數(shù)和存儲密度的不斷攀升，這種傳統(tǒng)架構(gòu)面臨著越來越大的挑戰(zhàn)。長江存儲的Xtacking晶棧架構(gòu)則采用了截然不同的方法：控制電路和存儲陣列分別在兩塊晶圓上制造，然后再進行鍵合。這一創(chuàng)新不僅降低了制造難度和成本，還為未來的技術升級開辟了新途徑。
三星的第十代V-NAND閃存正是引入了這一設計，從而實現(xiàn)了技術上的飛躍。值得注意的是，鎧俠/閃迪在其第八代到最新的第十代閃存中也采用了類似的架構(gòu)，這進一步證明了長江存儲技術的先進性和市場認可度。
長江存儲的晶棧架構(gòu)以其獨特的設計理念和顯著的優(yōu)勢，在全球范圍內(nèi)引起了廣泛關注。與此同時，鎧俠的最新架構(gòu)也展示了該領域技術的快速發(fā)展。
三星的第十代V-NAND閃存不僅在堆疊層數(shù)上實現(xiàn)了突破，達到了前所未有的高度（具體數(shù)字雖未公開，但已遠超當前記錄），還在其他方面展現(xiàn)出了強大的性能。該閃存采用TLC技術，單Die容量高達1Tb（128GB），存儲密度達到每平方毫米28Gb。盡管在存儲密度上略低于三星自家的1Tb QLC顆粒，也遠不及鎧俠第十代的大約每平方毫米36.4Gb，但三星顯然更看重堆疊層數(shù)的提升。在接口傳輸速度方面，該閃存達到了5600MT/s，即700MB/s，領先業(yè)界。
這一速度優(yōu)勢意味著，僅需10顆芯片就能充分利用PCIe 4.0 x4接口的帶寬，20顆芯片則能滿足PCIe 5.0 x4的需求，而32顆芯片更是能輕松應對PCIe 6.0 x4的高帶寬要求。考慮到大多數(shù)NAND閃存芯片都是由8顆或16顆Die封裝而成，因此，通過合理的封裝設計，可以實現(xiàn)單顆芯片2TB的容量，M.2 SSD單面容量更是可達8TB，雙面則能達到驚人的16TB（盡管由于兼容性問題，雙面設計并不多見）。
三星對于未來的規(guī)劃更是雄心勃勃，他們計劃在2030年左右實現(xiàn)1000層的堆疊技術，這將進一步鞏固其在全球存儲領域的領先地位。
