在近期于北美舉辦的2025年技術論壇上，臺積電震撼發布了其最新的A14工藝，標志著半導體技術邁入1.4納米時代。據官方介紹，A14并非過渡性技術，而是臺積電工藝節點的一次全新飛躍，預計將在2028年上半年正式投入量產。
與臺積電現有的N2 2納米工藝相比，A14在性能和功耗上均實現了顯著提升。在保持相同功耗的前提下，A14的性能可提升10%至15%；而在同等性能下，其功耗則可降低25%至30%。A14在邏輯晶體管密度上最高可提升23%，芯片密度也有20%的增長，這一系列數據無疑彰顯了A14的卓越性能。
A14工藝的成功，離不開臺積電在晶體管技術上的突破。第二代GAAFET全環繞納米片晶體管技術的運用，使得電流控制更為精準，從而實現了性能的提升和功耗的降低。同時，NanoFlex Pro標準單元架構的引入，為設計人員提供了更大的靈活性，他們可以根據具體的應用場景或負載需求，在芯片設計階段靈活調整晶體管配置，以達到最優的性能、功耗和面積（PPA）平衡。
值得注意的是，A14工藝不僅在技術指標上表現出色，其在命名上也直接與Intel的14A工藝形成對標。Intel的14A工藝同樣宣稱達到了1.4納米級別，并計劃于2026年推出。然而，與Intel的14A工藝相比，臺積電A14在性能提升和功耗優化方面展現出了更為顯著的優勢，特別是在晶體管密度和芯片密度的提升上，A14無疑更具競爭力。
臺積電并未止步于此，他們還透露了A14工藝的后續升級計劃。據悉，臺積電計劃在2029年推出A14的升級版——A14P，該版本將加入背部供電網絡（BSPDN），以進一步提升性能。然而，這一升級也將帶來成本的增加。除了A14P之外，臺積電還考慮推出更高性能的A14X版本和更低成本的A14C版本，以滿足不同市場的需求。
