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    華碩ROG主板新內(nèi)存技術(shù),超頻性能飆升400MT/s?

       發(fā)布時間:2025-01-21 14:46 作者:江紫萱

    據(jù)悉,ROG Crosshair X870E Hero與ROG Strix X870E-E Gaming WiFi主板已經(jīng)率先支持該技術(shù)。據(jù)官方介紹,新技術(shù)使得內(nèi)存條固定力度增強了57%,并且能在超頻時達(dá)到400 MT/s的速度提升。這對于追求極致性能的電腦發(fā)燒友來說,無疑是一個振奮人心的消息。

    傳統(tǒng)DRAM插槽設(shè)計中,每個針腳都會有一部分延伸出來的“殘余”,這部分設(shè)計初衷是為了防止用戶在安裝內(nèi)存時刮傷模塊。然而,這些殘余部分在高速信號傳輸時,卻可能成為信號反射和干擾的源頭。華碩指出,在DDR5的正常速度下,這種影響尚可接受,但當(dāng)內(nèi)存速度飆升至8000 MT/s以上時,問題就變得尤為突出。

    新型插槽設(shè)計還具備更高的耐磨性,這對于經(jīng)常需要升級或更換內(nèi)存的電腦愛好者來說,無疑是一個額外的加分項。華碩的這一創(chuàng)新不僅提升了性能,還兼顧了耐用性,為用戶提供了更加可靠和高效的使用體驗。

     
     
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