復旦大學在集成電路領域取得了又一重大進展，這一消息引起了業界的廣泛關注。據悉，該校的研究團隊在二維半導體芯片研究取得成果后，僅隔兩周，便再次宣布了關鍵性的技術突破。
復旦大學周鵬與劉春森教授帶領的團隊，通過精心構建的準二維泊松模型，成功在理論上預測了超注入現象，這一發現打破了當前存儲速度的理論上限。基于這一理論，他們研制出了名為“破曉（PoX）”的皮秒閃存器件，標志著存儲技術的全新里程碑。
“破曉”皮秒閃存器件的擦寫速度驚人，達到了亞1納秒級別，即400皮秒，這意味著每秒可執行的操作次數高達25億次。這一性能表現不僅超越了當前同技術節點下的世界最快易失性存儲SRAM技術，更是將存儲速度推向了一個全新的高度。
這一突破性成果已被《自然》期刊收錄，并以《亞納秒超注入閃存》為題發表。文章詳細闡述了團隊如何通過理論預測與實驗驗證相結合的方式，成功研制出這一革命性的存儲器件。
據專家介紹，“破曉”技術是目前世界上最快的半導體電荷存儲技術，其存儲與計算速度相當，這一特性有望徹底顛覆現有的存儲器架構。在完成規?；珊螅摷夹g將帶來存儲領域的深刻變革。
更為引人注目的是，“破曉”技術還為未來個人電腦的發展提供了新的可能。一旦該技術得以廣泛應用，個人電腦將不再區分內存和外存，無需分層存儲，這將極大地提升電腦的運行效率和用戶體驗。該技術還有望實現AI大模型的本地部署，為人工智能的普及和應用開辟新的道路。
目前，復旦大學團隊已將“破曉”技術與CMOS相結合，成功打造出了Kb級芯片，并已完成流片。接下來，他們計劃在未來3-5年內將芯片集成到幾十兆的水平，并尋求與企業的合作，以推動該技術的產業化進程。
